北京治疗白癜风最大的医院 http://www.zykyhs.com/小弟搞变频器出身，电源不是很精通，请教一个问题。反激电源连续状态下，MOS开通时刻，原边电流会有一个尖峰，是由于输出二极管反向恢复造成的。在断续模式下，输出二极管没有反向恢复过程，但是在实测波形中，原边电流从零开始上升的过程中还是存在尖峰，思考良久，不知原因。请各位大师帮忙分析一下！感谢！网友互动：网友A：这个尖峰是由原边的漏感引起的，漏感的能量瞬间释放，和MOS的结电容震荡。楼主：你好，漏感能量释放应该是在MOS关断的时刻，会引起Vds尖峰，而我这里指的是MOS开通时刻原边电流的尖峰。网友C：能否把RC吸收调整一下，还有就是驱动电阻。网友D：这个尖峰电流是MOS管源漏间的寄生电容放电造成的，在硬开关电路中好像没办法避免在QR模式下可以减轻在零电压电路中（如LLC电路）可以完成消除这个尖峰电流。版主nc：请参阅此帖[葵花宝典：消除副边二极管反压尖峰]68楼（小编摘录如下）：啥在影响二极管反压尖峰？与匝比有关。既然叫反压尖峰，那一定是叠加在反压上的尖峰，而反压与匝比有关，以反激为例，关系是：增加匝比可以降低反压，从而降低尖峰，但是要以同比增加原边开关管电压应力为代价。需根据实际情况权衡了。----引申的含义：与原边开关管耐压有关。与输出电压密切相关。这和《一》是一个意思，最高输出电压直接决定了尖峰的高度和二极管的耐压选择。而最高输出电压可能发生在空载时，-----引申的含义：与假负载可能有关。与续流二极管反向恢复电流的大小有关，听说有种二极管叫软恢复，是否有效？与续流二极管反向切换速度di/dt有关，楼下兄弟正在说这事，说是无解，我看未必。与吸收有关，如何吸收应该有讲究。详情可参阅：《关于吸收》五：RC吸收，其中正好以二极管反压尖峰为例。或许不用吸收，而用钳位呢？就是前面诸位提到的R//C+D，是不是更好一点呢？与变换器的工作模式有关，比如是否是软开关，如何软？软到啥程度？比如是否是连续模式？或者临界模式与断续模式等等。与漏感有关系，啥关系呢？还有说与原边寄生电容有关。主要措施：调整匝比到最佳程度。以便充分利用器件潜能，这事应该都会干吧，就不细说了。最有效的措施是降低di/dt。调试吸收参数到最佳状态。必要时采用钳位方式，即可精确控制尖峰。降低di/dt。有人说：di/dt引起尖峰，自大**生下来就是这毛病，华佗在世，也是大眼瞪小眼。其实不然。考察反激，二极管反压尖峰发生在什么时刻？这个例子，反压（绿色）V，尖峰过V了。续流二极管反压尖峰，与漏感有关、与反向恢复电流有关，都是对的，貌似都无可作为。但是，仔细观察反压尖峰发生时刻，可以发现：反压尖峰发生时刻与原边尖峰电压发生时刻无关，与二极管续流结束（二极管翻转）时刻无关。反压尖峰发生时刻完全与原边驱动（蓝色）同步，精确地发生在原边开关管导通时刻！因此可以这样认为：反压尖峰是驱动引起的。那么是不是可以说：原边驱动特性决定反压尖峰特性？事实正是如此！上图是一个快速驱动，快速导通不仅引起较大的反压尖峰，也引起原边电流（紫色）的一个尖峰（也可以认为正是原边这个电流尖峰引起了副边二极管反压尖峰），这些都是不利的。对于反激而言，在绝大多数工况都是断续模式或者准断续（谷底）模式，很少（或者说要尽量避免）连续模式。因此，反激的导通本身就是0电流导通，无需快速驱动。因此，大幅度减慢导通速度，可以大幅度削减反压尖峰。减慢导通速度即增加Rg阻值，增加到多少呢？可以增加到整机效率无明显下降为止-----对于几十W的反激，几百欧姆吧。仅这一个措施，反激的问题基本上可彻底解决，尖峰基本上可完全消失，二极管无需吸收。而且提高效率并减少成本。这是个50W的反激，仅把Rg从10改到了欧姆，尖峰就基本上没了。何以如此奏效？尖峰能量哪去了？注意看各部波形的变化，电流尖峰基本消失，还有那个弥勒平台的位置，正好就是之前尖峰发生的位置，因此可以理解为尖峰能量被弥勒吸收了。如果不是反激，如果有死区的驱动，那么在死区内想点办法（减慢导通速度）也是可行的，即使完全没有死区的连续模式，也是可以适当减慢导通速度的。减慢到啥程度？仍然以整机效率和成本来衡量。总之一句话：二极管反压尖峰是驱动过快引起的（而不要总归罪于二极管反向恢复和漏感）。各位看着办吧！楼主：按照版主nc的方法，增加了Rg，原边的电流尖峰确实改善。但是增加Rg会使MOS开关损耗加大，温升问题需要继续试验。另外我搭建了一个saber的flyback仿真模型，为验证断续下影响这个电流尖峰的因素。原边漏感，变压器分布电容，MOS寄生电容，这三个变量都尝试着分别、或组合增加10倍，但是那个电流尖峰的大小保持不变。只有增大Rg才有明显的改善。按我的理解，尖峰的产生，原因无非是寄生参数或分布参数，电感或者电容，总是有di/dt、dv/dt造成的，增大Rg等于增大了dt，尖峰自然会减小，增大Rg是一个解决问题的方法，前提是效率温升要满足要求。现在仍然不理解的是，造成这个尖峰L或者是C，就是公式前面的系数，到底是哪个部分的（也就是这个现象的根本原因）？我觉得仿真排除了原边漏感和MOS寄生电容，变压器的分布电容我是直接并在原边绕组两边，模型可能不准确，不能确定是否有影响。版主nc：这个问题的回复摘录如下：二极管反压尖峰，本质上是付边漏感的一种释能方式，现在通过减慢导通，让原边MOS开通损耗增加一点，米勒一点，以这样的方式，使付边的漏感能量转移到原边来，使付边看上去就是完全没有尖峰和漏感释能损耗的理想波形。总损耗不一定会降低，效率还有可能更高，且发热转移到有散热措施的原边消耗，大幅度降低了di/dt，改善了EMC，是件一举几得到好事。网友lahoward：尖峰产生的原因简单讲就是MOS管的Qg引起，或者说Ciss充电引起，下面示意图很容易理解该尖峰的成因，这与什么EMI什么的、什么二极管什么的没有任何关系，纯碎的MOS的电容造成。对该尖峰完全不必理会，所有的芯片均会忽略该尖峰，称为LEB。LEB时间一般为nS左右，该尖峰的大小显示了MOS管的Qg的大小，而Qg是MOS的一项重要指标。
楼主：感谢lahoward！引起这个尖峰的C，是MOS的GS电容，这个解释也很合理。增大Rg减慢了开关速度，尖峰自然就小了。但是参考下面两个帖子：
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